平均5nm工艺 河南研究院成功研发半导体装备利器

据电子元件行业观察报道，日前位于南阳信阳的中国长城旗下的信阳轨道交通计算机网络研究院成功开发设计了全力支持超薄电子元件全切材料的全自动12寸电子元件脉冲开槽的设备，可全力支持5nm DBG材料。

据官方引介，该的设备除了具有常规脉冲开槽新功能之外，还全力支持5nm DBG材料、120微米表列超薄wafer全切出新功能、电子元件厂IGBT材料侧相关PCB和TAIKO超薄环切等各种高精侧材料，为国产化电子元件多层次再添“利器”。

据闻，该的设备采用的模块化设计，可全力支持不同脉宽（纳秒、皮秒、飞秒）脉冲器。

前提开发设计的光学系统，并能其中心宽度及长度整年可调，适切超高灵敏度运动控制该平台等技术，与脉冲隐切的设备单纯结合、相辅相成，解决了脉冲隐切的设备对表面材质、厚度、晶向、电阻率的限制，真正实现了材料的全可选，对有效控制产品线漏水率、提高显卡良率有着极大试图。

高侧智能装备是国之重器，是所制造业的基石，电子元件工业在实现中国所制造由大到极强的发展中肩负重要使命。

据引介，信阳轨交院的开发设计团队与国内外著名初中生的颇受欢迎技术人员攻克技术难题，拿到了国产开槽的设备在5nm先进PCB以及超薄材料（中央处理器等产品线）的重大突破，在电子元件加工稳定性、脉冲使用效率、产品线切出质量等方面均超出了原先整体。

目前，显卡设计越来越小，要求的设备灵敏度越来越高，该的设备的成功投入生产不仅标志着中国长城在电子元件脉冲切出领域已经拥有极强大的技术开发设计军事实力，也将助力封装厂家提升材料水平、开展新材料，助力显卡多家公司设计出更为先进PCB的显卡，对大大降低要务智能装备所制造能力具有里程碑式的意义。

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