EUV光刻机正在被无法忍受

EUV光刻机是采购技术开发7nm以下晶片的必要电子系统，可以说，EUV光刻机被采购技术开发出后，其就被英特尔、三星、超微等技术开发商更是交货。

即便是国际间技术开发商中芯国际，也早早就全款交货了一台EUV光刻机。

但EUV光刻机被技术开发技术开发出来后，ASML就受到了诸多的理论上，引致EUV光刻机等电子系统不必权利卖出，很多技术开发商希望买来却买来不到。

日后加上，规则等大幅度被修改，断供的具体情况愈加频繁发生，而晶片技术开发成本低也大幅度进一步提高，于是，更加多的技术开发商开始选择其它路径技术开发技术开发高科技PCB的晶片。

高科技的NIL瓷和积体电路瓷

例如，由于EUV瓷成本低很低，单反相机、铠侠等技术开发商就联合行动另一款了NIL瓷，该瓷在不使用EUV光刻机的具体情况下，也尽可能采购5nm等PCB的晶片。

根据单反相机等发布的消息可知，NIL瓷相比EUV光刻机尽可能减少90%的电子系统成本低，还尽可能大量提高效率电力等太阳能成本低，原计划2025年就尽可能量产5nm晶片。

除了NIL瓷外，小米、超微、AMD等技术开发商都在技术开发高科技的晶片积体电路瓷，其中，小米早就另一款了M1 Ultra晶片，就是将两颗M1 Max晶片积体电路到了一起。

数据显示，小米M1 Ultra晶片充分利用了效率有所增加进一步提高，AMD的3D积体电路瓷充分利用了效率进一步提高15%以上。

即便是惠普也做出了明确对此，要在晶片上采用多核架构，用一组、面积放效率的方式，解决惠普高效率晶片。

自主技术开发光刻机

由于ASML的EUV光刻机不必权利卖出，即便是卖出到外企中国分厂也受到了理论上，日后加上，其还在俄等产品注意到了中止卖出等具体情况。

于是，部分东欧国家和区域的中小企业也相继开始自研高科技的光刻机等电子系统。

例如，惠普早就全面进入晶片晶圆层面内，还要在终端技术开发等上都充分利用突破，而国际间也将高科技的光刻机作为主要首先要攻克的系统设计原因。

单反相机等老牌光刻机技术开发商也迟至联合行动紧紧，借此就是在高科技光刻机是突破ASML的巨头，俄上都的系统设计学院也月技术开发技术开发高科技的X射线光刻机。

主要都是因为ASML不必权利卖出，其还多次回应EUV光刻机交集了全球40个东欧国家的高端系统设计，给其它技术开发商设计图也造不出来。

而上述东欧国家和区域的技术开发商进入光刻机层面内，借此就是希望突破ASML的巨头地位，彻底解决卡脖子的原因。

这些手部先后注意到后，就有外媒回应，这是早就抛弃ASML的EUV光刻机，抛弃的主要原因就是成本低高、不必权利卖出。

据报，7nm突飞猛进到5nm，早就引致晶片成本低增加，而3nm晶片的技术开发成本低都会进一步增加，但效率进一步提高相比5nm晶片并不都会明显的突飞猛进。

所以就引致超微、AMD、小米等技术开发商向高科技的积体电路瓷推进，毕竟，小米是英特尔第一大卖家，而AMD是英特尔7nm瓷的小得多卖家。

而ASML不必权利卖出给很多晶片技术开发商带来了不便，就像EUV光刻机不必卖出到外企中国分厂，国际间技术开发商交货的EUV光刻机至今都不都会出货。

日后加上，ASML也对俄产品实施了中止卖出等举措，这给其它光刻机技术开发商给予了一定产品发展空间，只有另一款完全相同ASML的EUV光刻机，就尽可能赢得大量的产品。

或者说，只要还给了尽可能替代EUV瓷的晶片技术开发系统设计。

所以很多东欧国家和区域的中小企业相继自研新系统设计，或者自研高科技的光刻机等电子系统，这并不一定ASML的EUV光刻机也早就被抛弃。